技術(shù)編號：6769255
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的示例性實施例涉及寫入驅(qū)動器、使用所述寫入驅(qū)動器的半導體存儲裝置，和編程方法。背景技術(shù)作為一種非易失性半導體存儲器件，相變隨機存取存儲器(PCRAM)通過對存儲器件施加電流來對數(shù)據(jù)進行編程。由于PCRAM在速度和允許的重寫次數(shù)方面能夠提供比DRAM 更好的性能，因此吸引了人們的關(guān)注。圖1是現(xiàn)有的相變存儲器件的剖面圖。參見圖1，相變存儲器件可以包括形成有諸如開關(guān)器件或類似器件(未示出)的底部結(jié)構(gòu)的半導體襯底10 ；形成在半導體襯底10上的下電極12 ；...
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