技術(shù)編號：6769192
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器的相關(guān)領(lǐng)域，具體地說是一種電阻轉(zhuǎn)換存儲器單元。 背景技術(shù)非易失性半導(dǎo)體存儲器在信息技術(shù)中占據(jù)了重要的地位，其銷售額逐年增長，其應(yīng)用在 消費電子中更是無處不在，具有廣闊的市場。目前，最常用的非易失性半導(dǎo)體存儲器是閃存， 而其他原理的新型存儲器也不斷涌現(xiàn)，隨著閃存在32nm技術(shù)節(jié)點以下遇到技術(shù)瓶頸，新型半導(dǎo)體存儲器將在不久的將來部分或者大幅取代閃存。例如，相變存儲器，鐵電存儲器，RRAM (電阻隨機(jī)存儲)等，其中，相變存儲器更被認(rèn)為是下一...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。