技術(shù)編號：6768910
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及納米半導體存儲器件領(lǐng)域，是一種新型的相變存儲器結(jié)構(gòu)及制備工藝?？捎糜趯ο嘧兇鎯ζ鞯膶嶒炑芯?，有利于提高相變存儲器的性能。同時，此種相變存儲器也可以作為未來相變存儲器大規(guī)模生產(chǎn)的結(jié)構(gòu)的原型。背景技術(shù)近年來，隨著信息存儲技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對信息存儲器件的存取速度和容量以及保存時間的要求越來越高。隨著存儲器件的尺寸規(guī)模的不斷縮小，目前傳統(tǒng)的利用貯存電荷存儲信息的存儲器件越來越受到挑戰(zhàn)，當傳統(tǒng)的動態(tài)存儲器(DRAM)，靜態(tài)存儲器 (SRAM)以及閃存(...
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