技術(shù)編號(hào)：6768876
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及一種。 背景技術(shù)與非型閃存(即NAND Flash)是一種可在線進(jìn)行電擦寫的非易失型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，因具有存儲(chǔ)密度高、擦除速度快等優(yōu)點(diǎn)而得到了飛速發(fā)展。近年來，提高NAND Flash單位面積的存儲(chǔ)容量是NAND Flash的發(fā)展趨勢(shì)之一。然而，當(dāng)物理尺寸縮小到一定程度時(shí)， NAND Flash中浮動(dòng)?xùn)艠O因?yàn)榫嚯x過近，相互間電容耦合作用將造成嚴(yán)重的耦合干擾，而且物理位置上相鄰的存儲(chǔ)單元間的干擾更加明顯，由此導(dǎo)致出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫不匹配的情況。另外，在實(shí)際...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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