技術(shù)編號(hào)：6768484
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器，更具體地涉及提高存儲(chǔ)子系統(tǒng)中執(zhí)行的非易失性存儲(chǔ)器操作的性能的系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)制造商通常將計(jì)時(shí)周期固定為適應(yīng)完成頁編程和塊擦除 操作所需要的時(shí)間。對(duì)于閃存，典型的頁編程周期可以持續(xù)約200-250iis，最長可持續(xù) 500-750 ii s，而典型的塊擦除周期可持續(xù)約1. 5ms，最長可持續(xù)2ms。但是，物理NVM設(shè)備的 計(jì)時(shí)是不統(tǒng)一的，并且完成頁編程或塊擦除操作所花費(fèi)的實(shí)際時(shí)間會(huì)發(fā)生變化。因此，在很 多...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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