技術(shù)編號(hào):6766986
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件。在使用了自旋注入磁化反轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)器中,沿著一條全局位線分離地配置多個(gè)寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器,對(duì)一個(gè)全局位線設(shè)置一個(gè)讀出放大器。在兩個(gè)陣列和讀出放大器中共享寫(xiě)入了“1”和“0”的參考單元。根據(jù)本發(fā)明,能夠?qū)崿F(xiàn)以小面積提供所需足夠的寫(xiě)電流的陣列結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)符合TMR元件的溫度特性的參考單元結(jié)構(gòu)。專(zhuān)利說(shuō)明半導(dǎo)體器件[0001]本發(fā)明申請(qǐng)是國(guó)際申請(qǐng)日為2009年10月05日、國(guó)際申請(qǐng)?zhí)枮镻CT/JP2009/067354、進(jìn)入中國(guó)國(guó)家階段的國(guó)家申請(qǐng)?zhí)枮?...
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