技術(shù)編號：6764938
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種針對電容結(jié)構(gòu)和MOS管結(jié)構(gòu)的存儲器件的參數(shù)測試方法，針對電容結(jié)構(gòu)的器件，該方法將器件編程或擦除到指定的平帶電壓Vfb附近，并測試出該平帶電壓隨編程或擦除電壓和編程或擦除時間的變化曲線，得到編程速度和擦除速度；并測試出器件在指定的編程和擦除條件下的平帶電壓隨編程和擦除次數(shù)的變化曲線，得到耐受性參數(shù)；針對四端MOS結(jié)構(gòu)的存儲器件，該方法將器件編程或擦除到指定的閾值電壓Vth處，并測試出該閾值電壓隨編程或擦除電壓和編程或擦除時間的變化曲線和耐受性...
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