技術(shù)編號：6764551
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種雙隧道勢壘磁元件具有位于第一隧道勢壘與第二隧道勢壘之間的自由磁層、以及在所述第二隧道勢壘上方的電極。兩步蝕刻處理使得可以在第一蝕刻之后在所述電極和第二隧道勢壘的側(cè)壁上形成封裝材料，以防止當(dāng)執(zhí)行第二蝕刻以移除自由層的一部分時對第一隧道勢壘的損傷。專利說明[0001]本文中所描述的示例性實施例一般涉及集成磁器件，更具體地，涉及具有雙隧道勢壘的磁傳感器和磁阻存儲器。背景技術(shù)[0002]磁電子器件、自旋電子器件和自旋電子學(xué)器件是用于利用主要由電子自旋引起的效應(yīng)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。