技術(shù)編號(hào):6763343
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種改善閃存于低階格式化時(shí)的效能,尤指使用閃存所制成的儲(chǔ)存裝置于出廠前所執(zhí)行的低階格式化的效能改善方法。背景技術(shù) 閃存,自問(wèn)世以來(lái)以低耗能、非易失性、耐震、高儲(chǔ)存密度等迷人的特性,在許多可移植性裝置中,漸漸取代可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)或電池供電的存儲(chǔ)器,更由于目前半導(dǎo)體技術(shù)日益精進(jìn),閃存的儲(chǔ)存密度與傳輸速度更是有突飛猛進(jìn)的成長(zhǎng),因此閃存在許多應(yīng)用方面,更可以取代硬式磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器等傳統(tǒng)儲(chǔ)存媒體。當(dāng)閃存制成儲(chǔ)存裝置后,需要執(zhí)行一低階格式化...
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