技術(shù)編號(hào)：6762873
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總的涉及到集成電路(IC)存儲(chǔ)單元陣列，并且更具體地涉及到一種不對(duì)稱存儲(chǔ)電阻存儲(chǔ)單元及其制造方法。背景技術(shù) 通常，使用存儲(chǔ)電阻器材料，如超大磁致電阻(CMR)材料的存儲(chǔ)單元用未經(jīng)圖案化的導(dǎo)電底部電極，未經(jīng)圖案化的CMR材料以及相對(duì)較小的頂部電極制成。這些器件在有限的一些應(yīng)用中起作用，但是因?yàn)檫@些存儲(chǔ)單元尺寸相對(duì)較大它們不適用于高密度存儲(chǔ)器陣列應(yīng)用。CMR材料可以說具有非易失特性，因?yàn)镃MR材料的電阻在多數(shù)情況下保持恒定。但是，當(dāng)高電場(chǎng)感應(yīng)電流流過CM...
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