技術(shù)編號(hào)：6762277
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，屬于微電子。背景技術(shù) 80多年前，人們第一次發(fā)現(xiàn)了硫?qū)倩衔锵嘧兌鴮?dǎo)致的電導(dǎo)率的變化。20世紀(jì)50年代，硫?qū)倩衔锖辖鹁B(tài)和非晶態(tài)的半導(dǎo)體性質(zhì)被廣泛研究。到了20世紀(jì)60年代初，有報(bào)道說出現(xiàn)了新的可逆相變材料和可編程光電器件，這些器件目的是用于電腦中的不易失性存儲(chǔ)器。這些報(bào)道刺激了相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛研究，激光誘發(fā)硫?qū)倩衔锖辖饘?dǎo)致相變的可寫光盤存儲(chǔ)器進(jìn)入商業(yè)生產(chǎn)?，F(xiàn)在，隨機(jī)存儲(chǔ)器中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)，閃...
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