技術(shù)編號：6761236
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲裝置及存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)的修正方法。背景技術(shù) 屬于可電寫入及擦除的非易失性存儲器的閃爍存儲器(flashmemory)，因時間的推移或數(shù)據(jù)讀出時的電流或電壓引起的應(yīng)力，導(dǎo)致作為與應(yīng)存儲于存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)對應(yīng)的物理量的一例的電荷狀態(tài)變化，閾值分布有可能從規(guī)定范圍內(nèi)脫離，在這種情況下，成為存取時間的延遲或誤讀出的原因。因此，根據(jù)USP5,835,413號公報，提出對因上述應(yīng)力導(dǎo)致存儲單元的狀態(tài)變化且閾值分布從規(guī)定范圍內(nèi)超出的單元，修正為進...
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