技術(shù)編號：6760142
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到一種電子元件以及電子元件的操作方法，這種電子元件及其操作方法改進(jìn)了元件的預(yù)充電處理過程并減小了元件的功率損耗。背景技術(shù) 在靜態(tài)或動態(tài)隨機(jī)存取存儲元件(SRAM和DRAM；SRAM＝靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器；DRAM＝動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和其他存儲器模塊中，存儲單元排列在位線與字線的交叉點(diǎn)上。與字線相關(guān)聯(lián)的各存儲單元都連接到在其上面通過該字線的激活或在該字線上加上一適當(dāng)信號而排列了各存儲單元的位線上。下文提及一動態(tài)存儲元件作為實(shí)例。一般來說，在所有情況...
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