技術(shù)編號：6758806
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種包括由磁疇分離的毫微米數(shù)量級(例如，1-100nm)的鐵磁性粒子所組成的磁層的可磁化器件。本發(fā)明的這種可磁化器件可以用于具有改進(jìn)的數(shù)據(jù)存儲特性的磁存儲器件。特別是，本發(fā)明涉及這樣的磁存儲介質(zhì)，它包括單獨(dú)磁疇的、磁疇分離的、均勻的、鐵磁性毫微米數(shù)量級(例如1-100nm)的粒子，這些粒子可以排列為在信息存儲中有用的規(guī)則的2-D封裝陣列。向超高密度(＞=1Gbit/in2)磁介質(zhì)發(fā)展的可能途徑是使用毫微米數(shù)量級(1-100nm)的粒子。除了對于磁...
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