技術(shù)編號(hào):6758363
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,特別是涉及利用簡(jiǎn)單的濺射成膜法制作的具有極高磁電阻比的。背景技術(shù) 近年來(lái),作為不揮發(fā)性儲(chǔ)存器的被稱為MRAM(Magnetoresistive RandomAceess Memory)的磁存儲(chǔ)器裝置受到矚目,并逐漸進(jìn)入實(shí)用化階段。MRAM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,容易達(dá)到千兆比特級(jí)的超高集成化,由于利用磁性動(dòng)量的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生儲(chǔ)存作用,從而具有可擦寫的次數(shù)極大、并且能夠使動(dòng)作速度達(dá)到納秒量級(jí)的特性。圖4所示的是MRAM的結(jié)構(gòu)。在MRAM101中,102是存儲(chǔ)器元件...
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