技術(shù)編號：6758311
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種內(nèi)存存儲系統(tǒng)及方法，尤其涉及一種。背景技術(shù) 近年來，隨著信息技術(shù)的發(fā)展，電子產(chǎn)品所需的內(nèi)存容量逐年呈指數(shù)增長趨勢，在許多產(chǎn)品中半導(dǎo)體內(nèi)存已占到產(chǎn)品成本的一半以上。于是一些容量大、成本低的內(nèi)存產(chǎn)品應(yīng)運而生，與非門閃存(NAND FLASH)就是其中之一。由于NAND FLASH在能夠保證大存儲量的情況下，同時可以減小體積，提高執(zhí)行速度，因此眾多的電子產(chǎn)品多采用NAND FLASH作為存儲介質(zhì)。然而在制造和使用過程中，不可避免會產(chǎn)生NAND FL...
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