技術編號：6757772
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是有關于一種半導體存儲器裝置，特別涉及一種能夠立即測量感測放大器的偏移電壓的半導體存儲器裝置。背景技術 在半導體存儲器裝置比如動態(tài)隨機存取存儲器DRAM中，位線感測放大器(以下稱為″amp″)被用來放大每個存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)的低電壓電平，從而該數(shù)據(jù)能夠被讀出至半導體存儲器裝置的外部。圖1顯示了傳統(tǒng)半導體存儲器裝置的核心區(qū)域中的數(shù)據(jù)讀取路徑及數(shù)據(jù)寫入路徑。如圖所示，半導體存儲器裝置包含單元陣列510、位線感測放大器組520、位線感測放大器(BLSA...
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