技術(shù)編號：6756518
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲單元中包含可變電阻元件的。背景技術(shù) 一種已經(jīng)提出的手法是，對由具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的薄膜材料，特別是超巨磁電阻(CMRcolossal magneto resistance)材料、高溫超導(dǎo)(HTSChigh temperature super conductivity)材料所構(gòu)成的薄膜或塊狀體施加1個(gè)以上的短暫電脈沖，由此改變其電氣特性。該電脈沖所產(chǎn)生的電場強(qiáng)度或電流密度應(yīng)足以改變該材料的物理狀態(tài)并且能量很低而不至于對材料造成破壞，該電脈沖既...
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