技術(shù)編號：6755796
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及磁隨機訪問存儲器(MRAM)存儲器。尤其是，本發(fā)明涉及向多態(tài)MRAM單元進行寫入的方法。背景技術(shù) 非易失性存儲器器件是電子系統(tǒng)中一種非常重要的組件。FLASH是目前使用的一種重要的非易失性存儲器器件。典型的非易失性存儲器器件使用在懸浮氧化層中捕捉到的電荷來存儲信息。FLASH的缺點包括高電壓需求以及慢速的編程和擦除時間。而且，F(xiàn)LASH存儲器在失效之前只能耐受寫104-106次。此外，為了保持合理地保存數(shù)據(jù)，柵氧化的尺寸受到電子碰到的隧道勢壘...
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