技術(shù)編號(hào)：6755070
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁阻隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(MRAM)，并且更具體地涉及用于MRAM的體系結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 在包括MRAM在內(nèi)的任意的存儲(chǔ)器類型中，不斷地希望減小存儲(chǔ)器的大小并且提高性能。性能的一個(gè)重要方面是存儲(chǔ)器被讀和編程(寫(xiě))的速度。速度的限制包括諸如位單元的性能和貫穿陣列的連線的電容等。已經(jīng)開(kāi)發(fā)了各種技術(shù)以便改進(jìn)這些特性。例如，存儲(chǔ)器陣列通常被分為子陣列，從而沒(méi)有單個(gè)連線是過(guò)度電容性的。這還可以減小功率消耗。在MRAM中已經(jīng)開(kāi)發(fā)了這種技術(shù)以便通過(guò)將單元收集到單元組中...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無(wú)源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請(qǐng)勿下載。