技術(shù)編號：6753805
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及具備包含磁化方向隨外部磁場變化的感磁層的磁阻效應元件、同時利用感磁層的磁化方向的變化來進行信息的記錄、讀出的磁存儲器件及其的制造方法。背景技術(shù) 迄今為止，作為在計算機或通信裝置等的信息處理裝置中使用的通用存儲器，使用了DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)或SRAM(靜態(tài)RAM)等的易失性存儲器。在這些易失性存儲器中，為了保持所存儲的信息，必須不斷地供給電流來進行刷新。此外，由于若切斷電源就會喪失全部的信息，故除了這些易失性存儲器外，必須設置非易失性的存...
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