技術(shù)編號(hào)：6753525
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種由最近發(fā)展起來(lái)的磁電阻效應(yīng)多層薄膜可構(gòu)成隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)中的記憶單元，這種RAM既是所謂的磁電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetoresistive RAM)，簡(jiǎn)稱MRAM。背景技術(shù) 一、MRAM中的磁性存儲(chǔ)單元作為MRAM的存儲(chǔ)單元，磁性薄膜中至少包含這樣的一個(gè)薄膜結(jié)構(gòu)[F1/NF/F2]。其中F1和F2表示兩個(gè)磁性材料層，NF表示非磁性材料層，NF層介于F1層和F2層之間。F1和F2中有且僅有...
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