技術(shù)編號：6751381
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種存儲器件，尤其涉及一種采用垂直納米管的存儲器件。背景技術(shù) 半導體非易失性存儲器件基本上包括一用作確保電流通路的開關的晶體管、以及一在柵極之間保存電荷的浮置柵極。為了使大電流在晶體管中流動，該晶體管必需具有高的跨導(單位gm)性能。因此，近來的趨勢是在半導體存儲器件中將具有高跨導性能的金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)用作開關。MOSFET基本上包括由摻雜多晶硅形成的控制柵極和由摻雜晶體硅形成的源極區(qū)和漏極區(qū)。在特定電壓條件下，MOSFET...
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