技術編號：6750544
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般地涉及存儲器冗余的啟動(enablement)。背景技術 一般而言存儲器陣列并且具體而言靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)占據(jù)了許多專用集成電路(ASIC)芯片上大部分的硅面積。這些存儲器陣列往往對這些芯片的制造成品率造成不良影響，這是因為它們是芯片的如此大的一部分，并且它們往往會將技術的制造工藝推至極限。然而，它們的極其重復和可預知的設計使得它們適合于在芯片被制造好后修復存儲器的方法。典型的存儲器修復方法是包括額外的或“冗余的”行或列，它們將被與有...
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