技術(shù)編號(hào):6750339
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明系一般而言相關(guān)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,尤其系相關(guān)于用于磁阻式(magnetoresistive)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory)(MRAM)儲(chǔ)存單元之寫入線結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)半導(dǎo)體裝置系被用于廣泛變化之電性的以及電子的應(yīng)用中之集成電路,例如,計(jì)算機(jī)、行動(dòng)電話、無線電以及電視,而一種特別型式的半導(dǎo)體裝置是一半導(dǎo)體儲(chǔ)存裝置,例如,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)以及閃存。這些半導(dǎo)體儲(chǔ)存裝置乃是利用電荷來儲(chǔ)存信息。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置最近的發(fā)展系牽涉到自...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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