技術編號：6748389
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲裝置，更詳細地說是涉及可切換為二值存儲器或多值存儲器的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。一般，在DRAM中，通過將存儲單元的電容器充電為VCC(電源電壓)或GND(接地電壓)，將1位的數據信號寫入存儲單元。這種可將2個不同值寫入1個存儲單元內的存儲器，被稱作2值存儲器。與此不同，可將3個以上不同值寫入1個存儲單元內的存儲器，被稱作多值存儲器。例如，在4值存儲器的情況下，可以通過將存儲單元的電容器充電為VCC、(2/3)·VCC、(1/3)...
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