技術編號：6745800
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及存儲器裝置的功率減小。本發(fā)明尤其涉及具有塊寫入周期的存儲器裝置的功率減小。減小存儲器裝置的功耗一直是很重要的。在大容量存儲器芯片中，由于有效功率的減小能夠實現(xiàn)器件的塑料封裝，工作電流很小，結溫度很低，所以對于實現(xiàn)低成本、高可靠性的芯片是極其重要的。已采用了若干種技術來減小例如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)這樣的存儲器芯片的有效功率消耗。一種普通的技術是利用若干個存儲器陣列而不是單個存儲器塊來實現(xiàn)DRAM。就是說，利用具有共享的讀出放大器、輸入/輸...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。