技術(shù)編號：6745563
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電可編程存儲器，尤其是但不是排他地涉及一種電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM或E2PROM)。一般在存儲器領(lǐng)域，尤其是在E2PROM領(lǐng)域內(nèi)，一直需要縮小幾何尺寸，增加密度并從而降低芯片成本。然而，因?yàn)镋2PROM使用高電壓，某些物理破壞作用限制著E2PROM單元的尺寸，所以對于標(biāo)準(zhǔn)5V邏輯門不能對其進(jìn)行縮小。常規(guī)上，E2PROM存儲單元已經(jīng)存儲了二進(jìn)制值，即或者是“0”或者是“1”。為了增加存儲密度，對于多電平單元系統(tǒng)已經(jīng)提出兩個(gè)方案首先...
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