技術(shù)編號(hào):6745544
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。可編程的非易失存儲(chǔ)單元具有一種處于電漂浮狀態(tài)的柵電極,所謂的“浮柵”。該“浮柵”通過起絕緣作用的氧化層既與在其它方面象一個(gè)MOSFET那樣構(gòu)造的存儲(chǔ)單元的溝道區(qū)隔開,也與其控制柵極隔開,并且設(shè)置在它們之間?,F(xiàn)在通過在浮柵上加載電荷來進(jìn)行單元的編程。閾電壓通過該電荷被改變了,閾電壓就是形成存儲(chǔ)單元的MOSFET開始導(dǎo)電的電壓。在單元讀取時(shí),在控制柵上施加一電壓,該電壓具有一種介于未編程和已編程單元的閾電壓之間的值。取決于隨后是否流過一電流,來判定讀出的或者是...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼,用于學(xué)習(xí)原理,如您想要源代碼請(qǐng)勿下載。