技術編號：6745068
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種磁存儲器件及其制造方法，更具體地說，涉及這樣一種磁存儲器件及其制造方法，該器件通過電流磁場寫入每一位，并且響應與一個單元的磁化狀態(tài)相對應的電阻變化讀出“1”或“0”的信息。背景技術 近來已經(jīng)提出利用了磁致電阻效應的MRAM(磁性隨機存取存儲器)作為存儲元件。MRAM的特征在于，為了將數(shù)據(jù)寫入一個存儲單元中，采用電流磁場來改變鐵磁物質(zhì)的磁化方向。在MRAM中，采用TMR(隧道磁致電阻，Tunneling Magneto Resistive)效應...
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