技術(shù)編號(hào)：6742656
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及薄膜磁性體記憶裝置，更確定地說涉及具備了含有磁隧道結(jié)(MTJMagnetic Tunnel Junction)的磁性體存儲(chǔ)單元的薄膜磁性體記憶裝置。背景技術(shù) 作為能夠以低耗電力記憶非易失的數(shù)據(jù)的記憶裝置，MRAM(Magnetic Random Access Memory)裝置正受到注視。MRAM裝置是一種，使用在半導(dǎo)體集成電路中所形成的多個(gè)薄膜磁性體來進(jìn)行非易失的數(shù)據(jù)記憶，并可對(duì)各各薄膜磁性體進(jìn)行隨機(jī)存取的記憶裝置。尤其是，在近些年，通過利用磁...
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