技術(shù)編號(hào):6740153
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及芯片測(cè)試領(lǐng)域,尤其涉及。背景技術(shù)相變存儲(chǔ)器測(cè)試是非易失性閃存存儲(chǔ)器測(cè)試的一項(xiàng)主要內(nèi)容。圖1是一獨(dú)立式相變存儲(chǔ)器8的結(jié)構(gòu)示意圖;其中片上程序區(qū)80是用只讀存儲(chǔ)器(ROM,Read Only Memory)實(shí)現(xiàn)的,片上數(shù)據(jù)區(qū)82是用靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM, StaticRandom Access Memory)實(shí)現(xiàn)的;而存儲(chǔ)器陣列84則由相變存儲(chǔ)器(PCM, Phase-Change Memory)實(shí)現(xiàn)。微控制器內(nèi)核86訪問(wèn)片上程序區(qū)80、片上數(shù)據(jù)...
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