技術(shù)編號：6739855
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種多重位閃存(Multiple Bit F1ash Memory)，且特別是有關(guān)于一種多重位閃存的參考電流產(chǎn)生電路。典型的閃存是由許多的快閃存儲單元(Flash Cell)所組成，每一快閃存儲單元則通常用來儲存一個(gè)位的數(shù)據(jù)。快閃存儲單元的結(jié)構(gòu)以摻雜的多晶硅制作浮置柵極(Floating Gate)與控制柵極(Control Gate)，而浮置柵極與控制柵極之間則以介電層相隔，且浮置柵極與基底間以穿隧氧化層(Tunnel Oxide)相隔。當(dāng)...
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