技術(shù)編號：6739502
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及一種存儲器和對存儲器單元編程的方法。背景技術(shù)當(dāng)NVM (非易失性存儲器)單元使用熱載流子注入進(jìn)行編程時(shí)，高于核心電壓的電壓需要相對較高的電流。該編程電流通常由電荷泵提供，該電荷泵根據(jù)系統(tǒng)的核心電壓產(chǎn)生較高的電壓。由于電荷泵的有限電流驅(qū)動(dòng)能力，可并行書寫有限數(shù)量的NVM單元(例如，8個(gè)并行選定的存儲器單元)。對更多的單元編程需要連續(xù)的寫操作，這需要相對較長的時(shí)間來執(zhí)行。為獲得較高的并行通量，電荷泵和進(jìn)入存儲器陣列的其關(guān)聯(lián)路徑將必須針對較高·的電流進(jìn)...
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