技術(shù)編號：6739501
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲器領(lǐng)域，更具體的，涉及閃存或相變隨機(jī)存取存儲器中的糾錯編碼方法，尤其是固定錯誤與隨機(jī)錯誤共存的糾錯編碼方法。背景技術(shù)閃存(FlashMemory)和相變隨機(jī)存取存儲器(Phase Change Random Access Memory, PCRAM)是兩種新型的固態(tài)存儲技術(shù)。閃存是目前使用最普遍的消費(fèi)類存儲器，如優(yōu)盤，內(nèi)存卡等，而PCRAM則是作為下一代固態(tài)存儲器的最有力競爭者。閃存的存儲原理是通過量化其浮柵(Floating Gate)結(jié)構(gòu)...
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