技術(shù)編號：6739343
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于以包括硫族化物(chalcogenide)材料的相變材料為基礎(chǔ)的存儲器裝置，以及用于操作這類裝置的方法。本申請案主張2011年6月23日申請的名稱為「(High-Endurance Phase Change Memory Device and Methods for Operating theSame)」的美國臨時(shí)申請案第61/500，567號，其并入本文作為參考。背景技術(shù)相變基礎(chǔ)存儲器材料，像是硫族化物基礎(chǔ)材料以及類似的材料，可通過在集成電路中...
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