技術(shù)編號(hào)：6739253
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。示例實(shí)施例一般涉及集成電路存儲(chǔ)器設(shè)備。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及具有多個(gè)易失性存儲(chǔ)器單元(memory cell)的集成電路存儲(chǔ)器設(shè)備。背景技術(shù)由于歸功于技術(shù)進(jìn)步而進(jìn)行的工藝細(xì)化，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)備的密度 (即，存儲(chǔ)器單元的數(shù)目)已經(jīng)增加了 2M (在這里，M是正整數(shù))倍(例如，4GB、8GB、16GB、32GB、64GB…)?？梢酝ㄟ^增加行地址的數(shù)目、增加列地址的數(shù)目、和/或增加存儲(chǔ)體(bank)地址的數(shù)目來增加DRAM設(shè)備的密度，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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