技術(shù)編號：6738373
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及熱輔助磁記錄介質(zhì)和使用了該介質(zhì)的磁存儲裝置。背景技術(shù)對介質(zhì)照射近場光等，局部地加熱表面，使介質(zhì)的矯頑力降低來進(jìn)行寫入的熱輔助記錄，作為能夠?qū)崿F(xiàn)約ITbit/英寸2或其以上的面記錄密度的下一代記錄方式受到關(guān)注。在使用熱輔助記錄的情況下，即使是在室溫下的矯頑力為數(shù)十kOe的記錄介質(zhì)，也可以通過現(xiàn)有磁頭的記錄磁場容易地進(jìn)行寫入。因此，記錄層可使用具有106J/m3程度的高的晶體磁各向異性Ku的材料，可以在維持熱穩(wěn)定性的狀態(tài)下將磁性粒徑微細(xì)化到6nm以下...
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