技術(shù)編號：6627802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，該方法將含缺陷多層膜分為無缺陷部分和含缺陷部分兩部分，并通過分割法和等效膜層法建模。首先通過薄掩模近似和相位補償?shù)玫窖谀Ｎ諏友苌渥V，再經(jīng)過含缺陷多層膜的衍射，最后通過薄掩模近似和相位補償，得到極紫外光刻含缺陷掩模的衍射譜。本發(fā)明提供了一種可快速有效仿真。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及極紫外光刻掩模，特別是一種極紫外光刻含缺陷掩模衍射譜的快速嚴 格仿真方法。 背景技術(shù) [0002] 極紫外（EUV)光刻被譽為是最有前景的下一代光刻技術(shù)，...
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