技術(shù)編號：6601034
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及閃存(Flash Memory)的存取(Access)，更具體地說，涉及一種用來抑制數(shù)據(jù)錯誤的方法以及相關(guān)的記憶裝置及其控制器。背景技術(shù)近年來由于閃存的技術(shù)不斷地發(fā)展，各種可攜式記憶裝置(例如符合SD/MMC、 CF、MS、XD標(biāo)準(zhǔn)的記憶卡)或具備閃存的固態(tài)硬盤(Solid StateDrive, SSD)被廣泛地實(shí)施于諸多應(yīng)用中。因此，這些記憶裝置中的閃存的存取控制遂成為相當(dāng)熱門的議題。以常用的NAND型閃存而言，其主要可區(qū)分為單階細(xì)胞(Sin...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。