技術(shù)編號(hào)：6598383
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)器讀寫，具體來說涉及一種NAND閃存的轉(zhuǎn) 換層讀寫方法。背景技術(shù)目前的隨身電子產(chǎn)品，如手機(jī)、隨身聽所用的儲(chǔ)存裝置大都是閃存(以下稱 flashmemory或者直接稱為flash)，但flash的特性是無法重復(fù)在同一塊內(nèi)存位置做寫入 的動(dòng)作，必須事先擦除該塊內(nèi)存位置，亦即將其充電，才能再做寫入的動(dòng)作，因此一般使用 的文件系統(tǒng)，如FAT16、FAT32、NTFS, ext2等將無法直接用在flash memory上。如果想要 沿用這些文...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
請(qǐng)注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。