技術編號：6598003
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明總的來說涉及集成電路制造處理，具體地，涉及使用雙圖樣技術來減小集成電路的光刻限制，更具體地，涉及使用雙圖樣技術進行金屬布線。背景技術雙圖樣是針對光刻法以增強特征密度所開發(fā)的技術。典型地，為了在晶片上形成集成電路的特征(feature，也稱部件)，使用光刻技術，這涉及施加光致抗蝕劑，并在光致 抗蝕劑上限定圖樣。經過圖樣化的光致抗蝕劑中的圖樣首先被限定在光刻掩模中，并且被 光刻掩模中的透明部分或不透明部分所限定。然后，經過圖樣化的光致抗蝕劑中的圖樣被 轉...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
請注意，此類技術沒有源代碼，用于學習研究技術思路。