技術(shù)編號(hào)：6569248
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種高速緩沖存儲(chǔ)器以及用于在其上存儲(chǔ)和載入數(shù) 據(jù)的方法。更具體地說(shuō)，本發(fā)明針對(duì)利用了具有位寫(xiě)功能的單端口SRAM的高速緩沖存儲(chǔ)器裝置和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，該位寫(xiě)功能能夠在支持多 路存儲(chǔ)操作或支持至少一個(gè)存儲(chǔ)操作的同時(shí)還支持一個(gè)在高速緩沖 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器上的載入操作。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施例包括一種高速緩沖存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該髙速緩沖存 儲(chǔ)器系統(tǒng)包括用于存儲(chǔ)高速緩沖數(shù)據(jù)的高速緩沖數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器以及兩 個(gè)或更多個(gè)用于存儲(chǔ)高速緩沖標(biāo)記和有效位的高速緩沖標(biāo)記存儲(chǔ)器。 存儲(chǔ)槽(0)...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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