技術(shù)編號(hào)：6557533
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及輻射測(cè)量，具體涉及一種。背景技術(shù) 高純鍺(HPGe)探測(cè)器是輻射測(cè)量中應(yīng)用最為廣泛的探測(cè)器之一。在輻射測(cè)量中通常需要對(duì)所用探測(cè)器進(jìn)行效率刻度。目前利用蒙特卡羅方法對(duì)高純鍺探測(cè)器進(jìn)行無源效率刻度，一般都是在準(zhǔn)確獲得晶體尺寸數(shù)據(jù)后直接進(jìn)行模擬計(jì)算。例如國外有人利用X光照片測(cè)量晶體尺寸，但利用X光照片對(duì)X光機(jī)要求較高且僅能獲得HPGe晶體外觀尺寸，對(duì)于最為關(guān)鍵的晶體靈敏區(qū)尺寸則較難確定。通常的一種做法是結(jié)合實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)晶體靈敏區(qū)尺寸進(jìn)行手工調(diào)整以得到較為...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
請(qǐng)注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。