技術(shù)編號：6541411
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的擊穿電壓TCAD仿真方法，利用定義阻性接觸的方法，可以很好地解決由于電學(xué)邊界條件設(shè)置導(dǎo)致的不收斂，使低壓區(qū)能夠平滑過渡到雪崩擊穿區(qū)，能夠仿真電流回滯現(xiàn)象。專利說明—種半導(dǎo)體器件的擊穿電壓TCAD仿真方法[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的擊穿電壓TCAD仿真方法。背景技術(shù)[0002]隨著芯片制造技術(shù)的進(jìn)步，芯片關(guān)鍵尺寸越來越小，現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了 20nm左右，未來還將進(jìn)一步減小到10nm。隨著工藝進(jìn)步,TC...
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