技術(shù)編號(hào)：6537155
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的方法適用于利用反射式高能電子衍射(RHEED，ReflectiveHigh Energy Electron Diffraction)進(jìn)行表面分析的場(chǎng)合，特別是在分子束外延(MBE，Molecular Beam Epitaxy)設(shè)備中。背景技術(shù) 反射式高能電子衍射在分子束外延設(shè)備中被廣泛應(yīng)用。它是MBE中最為重要的原位監(jiān)測(cè)手段。高能電子衍射系統(tǒng)中，高能電子束(通常為14KV)以非常小的角度掠射到樣品的表面，入射角度通常為1°～2°。由于入射電子束的法...
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