技術(shù)編號：6488839
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種帶寄生場效應(yīng)的LDMOS模型，包括第一MOS管和第二MOS，所述第一MOS管的體端電極和所述第二MOS管的體端電極相連、所述第一MOS管的漏極和所述第二MOS管的漏極相連、所述第一MOS管的源極和所述第二MOS管的源極相連，所述第一MOS管的柵極和所述第二MOS管的柵極相連。本發(fā)明能建立一種較高精度的模型，較好的實現(xiàn)了對器件寄生特性的描述，對提高LDMOS模型在線性區(qū)的仿真精度有很好的幫助。另外，本發(fā)明還公開了帶寄生場效應(yīng)的LDMOS模型的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。