技術(shù)編號(hào)：6484436
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。使用高k電介質(zhì)金屬柵極Vt移位效應(yīng)來提供可編程場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)及其制造方法?？刂聘遦電介質(zhì)金屬柵極結(jié)構(gòu)中的Vt移位的方法包括向高k電介質(zhì)金屬柵極結(jié)構(gòu)的柵極接觸施加電流以提高形成柵極堆疊的金屬的溫度。提高溫度超出用于提供接通狀態(tài)的Vt移位溫度閾值。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和制造方法，并且更具體地涉及使用高k電介質(zhì)金屬柵極Vt移位效應(yīng)的可編程場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)及其制造方法。背景技術(shù)[0002]負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(NBTI)是在使用負(fù)柵...
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