技術(shù)編號：6464266
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及MOS晶體管噪聲模型形成方法、裝置和電路模擬方法。背景技術(shù)隨著CMOS技術(shù)中器件尺寸的持續(xù)縮小，對于模擬電路來說，柵電壓下漏端電流的l/f桑聲參數(shù)變得越來越重要，漏端電流的l/f噪聲越大，放大器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器或者模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的信噪比(SNR)越小。因此，在電路設(shè)計中，需精確控制漏端電流的1/f喿聲參數(shù)，而對l/f噪聲參數(shù)的控制的關(guān)鍵在于所采用的模型的精確程度。目前，比較流行的MOS晶體管模型主要是BSIM (Berkeley Sho...
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