技術(shù)編號：6413635
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，在對半導(dǎo)體器件的離子注入過程模擬中，實現(xiàn)包含末端部分的離子注入剖面的正確內(nèi)插和外插。在LSI和其他的半導(dǎo)體器件的制造工序中，具有這樣的工序通過離子注入技術(shù)把雜質(zhì)離子作為摻雜劑注入到半導(dǎo)體襯底中，進(jìn)而經(jīng)過熱處理工序來進(jìn)行擴(kuò)散激活。此時的雜質(zhì)分布，使閾值電壓Vt和晶體管的ON電流以及其他的電氣特性參數(shù)發(fā)生較大的變化，這是公知的。特別是，在最近，為了通過把半導(dǎo)體器件進(jìn)行小型化來達(dá)到高密度大容量化和高速化，而使得更淺的接合深度的晶體管的設(shè)計變得重要起來...
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